Reactive Ion Etching (IZM-22) - PR915350-2590-P

Stammdaten

Auftraggeber

Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12, München

Bezugsberechtigte

Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.

Veröffentlicht

22.04.2025

Frist (Submission)

23.05.2025

Notice-Typ

Ausschreibung

Verfahrensart

Offenes Verfahren

CPV-Code

31712100 — Elektrische Ausrüstung

Branche

Gesundheitswesen & Medizintechnik

Rechtsgrundlage

EU-Oberschwelle

Beschreibung

Los 1: Reactive Ion Etching (RIE) (IZM-22.1) Das reaktive Ionenätzen (RIE) findet Anwendung bei der Vorbehandlung verschiedener Oberflächen für die Galvanisierung, das Kleben und auch für eine bessere Haftung von organischen Filmen wie Polymeren und Resist, für die Herstellung von Mikrostrukturen, das Ätzen von Mustern auf Wafern und die Herstellung integrierter Schaltungen. Es wird für den präzisen und kontrollierten Materialabtrag eingesetzt. Um wiederholbare Ätzergebnisse mit hohem Durchsatz zu erzielen, sind getrennte Prozesskammern oder besser komplett getrennte Anlagen erforderlich, eine für organische und eine für anorganische Ätzschichten (oder zusätzliche Metallschichten), um jegliche Kreuzkontamination zu vermeiden; außerdem sollte die Handhabung der Filmrahmen in einer getrennten Maschine erfolgen. Die Gleichmäßigkeit des reaktiven Ionenätzens mit den typischen Gasen Ar, SF6, CF4, O2, N2 sollte besser als ≤5% über einen 200mm-Wafer sein, um geringe Prozessschwankungen und eine hohe Dickengleichmäßigkeit zu ermöglichen, was für eine hohe Ausbeute entscheidend ist. Das System sollte in der Lage sein, Wafer mit einem Durchmesser von 100 bis 200 mm ohne oder mit minimalem Aufwand nachzurüsten und mit Dicken im Bereich von 300-1200 µm zu bearbeiten. Optionen: - Die erforderlichen Pumpen (vorzugsweise von Edwards) und die Flüssigkeitskühlung sind im Kostenvoranschlag und Budget enthalten — Los 2: Reactive Ion Etching (RIE) (IZM-22.2) Das reaktive Ionenätzen (RIE) findet Anwendung bei der Vorbehandlung verschiedener Oberflächen für die Galvanisierung, das Kleben und auch für eine bessere Haftung von organischen Filmen wie Polymeren und Resist, für die Herstellung von Mikrostrukturen, das Ätzen von Mustern auf Wafern und die Herstellung integrierter Schaltungen. Es wird für den präzisen und kontrollierten Materialabtrag eingesetzt. Um wiederholbare Ätzergebnisse mit hohem Durchsatz zu erzielen, sind getrennte Prozesskammern oder besser komplett getrennte Anlagen erforderlich, eine für organische und eine für anorganische Ätzschichten (oder zusätzliche Metallschichten), um jegliche Kreuzkontamination zu vermeiden; außerdem sollte die Handhabung der Filmrahmen in einer getrennten Maschine erfolgen. Die Gleichmäßigkeit des reaktiven Ionenätzens mit den typischen Gasen Ar, SF6, CF4, O2, N2 sollte besser als ≤5% über einen 200mm-Wafer sein, um geringe Prozessschwankungen und eine hohe Dickengleichmäßigkeit zu ermöglichen, was für eine hohe Ausbeute entscheidend ist. Das System sollte in der Lage sein, Wafer mit einem Durchmesser von 100 bis 200 mm ohne oder mit minimalem Aufwand nachzurüsten und mit Dicken im Bereich von 300-1200 µm zu bearbeiten. Optionen: - Die erforderlichen Pumpen (vorzugsweise von Edwards) und die Flüssigkeitskühlung sind im Kostenvoranschlag und Budget enthalten

Lose

2 Lose.

Vertragslaufzeit

Periode

15 Monate

Verfahrensverlauf — alle 2 Veröffentlichungen

• Ausschreibung · Frist: 23.05.2025
• Vergabeergebnis

Zuständige Vergabekammer (laut Bekanntmachung)

Vergabekammern des Bundes, Bonn

Angabe aus der TED-Bekanntmachung. Im Streitfall ist die tatsächlich zuständige Vergabekammer nach §§ 155 ff. GWB maßgeblich, nicht zwingend die hier genannte.